중국 정상급 후공정업체인 화톈커지(华天科技)가 23일 장쑤(江苏)성 난징(南京)시에서 난징 2공장 기공식을 진행했다고 상하이증권보가 24일 전했다. 난징 2공장은 난징시 푸커우(浦口)구에 건설된다. 이날 기공식에는 천즈창(陈之常) 난징시 시장과 샤오성리(肖胜利) 화톈커지 회장 등이 참석했다. 난징 2공장 투자규모는 100억 위안(1조9000억원)이다. 2공장 건설은 3단계로 이뤄지며 2028년 건설이 완료될 예정이다. 완공 후 연매출은 약 60억 위안으로 예상됐다. 난징 2공장은 최첨단 생산 설비를 반입할 예정이며, 글로벌 최정상급의 수준을 갖춘 패키징 라인을 건설한다는 방침이다. 난징 2공장은 메모리, 주파수, 컴퓨팅, 자율주행 영역의 반도체를 집중적으로 패키징할 예정이다. 화톈커지의 난징 1공장은 현재 회사의 생산시설 중 규모가 가장 큰 곳이며, 이 곳에는 첨단 후공정 기술의 R&D 기지도 함께 들어서 있다. 화톈커지는 2018년 80억 위안을 투자해 난징 1공장 건설을 시작했으며, 기공 17개월 만에 완공했다. 화톈커지는 2003년 12월 간쑤(甘肅)성 텐수이(天水)시에 설립됐고, 2007년 11월 선전 증권거래소에 상장됐다. 9월24일 시가총액
글로벌 4위, 중국 2위 반도체 후공정업체(OSAT)인 퉁푸마이크로(TFMC, 通富微电)가 75억 위안(1조4100억원)을 투자한 후공정 공장이 기공했다고 중국 퉁화순(同花顺)재경이 23일 전했다. 퉁푸마이크로는 장쑤(江苏)성 난퉁(南通)시에서 지난 20일 공장 기공식을 진행했다. 공장은 다층 적층, 플립, 웨이퍼 레벨 및 패널 레벨 패키징 등의 역할을 수행하게 된다. 공장 건설 프로젝트에는 모두 75억 위안이 투자된다. 1공장 건설은 내년에 완료되며, 전체 프로젝트의 완공시점은 2029년 4월이다. 퉁푸마이크로는 4000개 이상의 후공정 장비를 반입할 방침이며, 글로벌 선두 수준의 패키징 라인을 건설한다는 목표다. 기공식에서 스레이(石磊) 퉁푸마이크로 회장은 "이번에 기공하는 공장은 주로 통신용 반도체, 메모리 반도체, 컴퓨팅 반도체 등의 후공정을 주로 담당할 것"이라며 "국가적으로 추진하고 있는 다층 적층 패키징이나 웨이퍼급, 패널급 패키지 등의 제품에 주력할 예정"이라고 설명했다. 퉁푸마이크로는 1997년 일본 후지쯔와의 합자기업으로 설립됐다. 현재는 후지쯔가 지분을 철수시킨 상태다. 퉁푸마이크로는 2015년 AMD의 중국 쑤저우(蘇州) 공장과 말레이시
중국의 메모리 제품 제조업체인 롱시스(Longsys, 중국명 장보룽)가 자체 개발한 메인 컨트롤러 칩 출하량이 1000만개를 돌파했다고 중국 상하이증권보가 20일 전했다. 장보룽은 19일 진행한 기관투자가 대상 IR행사에서 자체 개발한 메인 컨트롤러 칩인 'WM6000'과 'WM5000'의 대량 출하가 이뤄지고 있으며, 고객사로부터 호평을 받고 있다고 밝혔다. 또 eMMC(embedded MultiMediaCard)와 SD(Secure Digital) 카드의 메인 컨트롤러 칩을 최근 출시했으며, 자체 개발한 펌웨어 알고리즘과 일치시켜 고객의 수요에 부응했다고도 소개했다. 특히 장보룽은 신에너지자동차의 발전에 힘입어 메모리 수요가 증가하고 있다고 설명했다. 회사 측은 "스마트 드라이빙과 스마트 콕핏의 지속적인 확장이 자동차용 메모리 산업에 새로운 동력을 제공할 것이며 시장은 지속 성장할 것"이라며 "자동차가 더욱 큰 규모의 데이터를 처리해야 하는 만큼, 저장장치는 더 높은 속도, 용량 및 내구성을 갖춰야 한다"고 전망했다. 장보룽은 중국 내 최초로 자동차급 스토리지 분야에 진출한 업체다. 특히 자동차급 UFS(Universal Flash Storage)와 eM
중국의 대표적인 AP(애플리케이션프로세서) 개발 팹리스(반도체 설계 전문업체)인 쯔광잔루이(紫光展銳, 영문명 UNISOC)가 40억 위안(한화 약 7500억원) 규모의 자금 유치에 성공했다. 이번 자금유치에서 쯔광잔루이는 기업가치 660억 위안(12조4000억원)을 산정받은 것으로 전해졌다고 중국 제몐신원이 19일 전했다. 이번 자금 모집은 쯔광잔루이가 설립된 후 7번째 자금 유치였다. 쯔광잔루이는 모집된 자금으로 핵심인재 유치와 연구개발(R&D) 투자 확대에 나설 것이라고 밝혔다. 또 운영자금으로도 사용한다고 덧붙였다. 이번 자금유치에는 베이징 국유자산감독관리위원회, 상하이 국유자산감독관리위원회, 공상은행캐피털, 교통은행금융, 인민보험캐피털 등 국유 투자기관을 비롯해 중신젠터우(中信建投)와 궈타이쥔안(国泰君安) 등 증권사들이 참여했다. 국유기관들이 대거 투자에 참여했으며, 투자규모가 대규모인 점은 쯔광잔루이의 미래 사업 전망이 밝으면서도 경쟁력을 갖추고 있기 때문이라는 것이 현지 업계의 반응이다. 현지 관계자는 "올해 상반기 중국의 반도체 업계 투자액은 전년 대비 37.5% 감소했다"며 "하지만 경쟁력 있는 기업이라면 그리 어렵지 않게 투자를 유치하
중국의 반도체 업체인 창페이셴진이 200억 위안(한화 약 3조7600억원)을 들여 건설중인 후베이(湖北)성 우한(武漢) 공장이 완공됐다. 중국 매체인 EET차이나는 다음달부터 창페이셴진 우한 공장에 장비를 반입할 예정이며 3세대 전력반도체가 생산될 예정이라고 13일 전했다. 이 공장의 부지 면적은 22만9400㎡이며, 건축 면적은 30만1500㎡다. 웨이퍼 제조 공장, 패키지 공장, 애피텍셜(Epitaxial, 기판 위에 단결정층을 성장시키는 과정) 공장, 발전 건물, 창고, 오피스, 기숙사 등이 들어섰다. 창페이셴진 측은 우한공장의 모든 건물이 완공됐으며, 내년 6월에 장비 설치를 완료하고 시험 생산에 들어갈 계획이라고 밝혔다. 이 공장은 연간 36만장의 6인치 탄화규소(SiC, 실리콘 카바이드) 웨이퍼를 생산하고, 연간 6100만개의 전력 반도체를 생산할 수 있는 것으로 전해지고 있다. 생산된 제품은 신에너지 자동차, 태양광 등에 사용될 예정이다. 현재 창페이셴진은 650V~3300V 전압용 전력 반도체 생산 기술을 보유하고 있으며, 차량용 메인 드라이브, 차량용 전력 모듈, 태양광 인버터, 충전기 인버터 등 다양한 제품군을 생산하고 있다. 창페이셴진 우
중국이 반도체 공정 장비 중 하나인 수소 이온주입기를 자체 개발하는 데 성공했다. 중국국가전력투자그룹의 자회사인 허리촹신(核力创芯)은 국가원자력기구 핵기술 연구개발센터와 공동으로 수소 이온 주입 성능 업그레이드 반도체 제품을 고객사에 납품했다고 중국 매체 차이롄서(财联社)가 밝혔다. 국가전력투자그룹은 "허리촹신이 전력반도체 분야에서 고에너지 수소이온 주입과 관련된 핵심기술과 공정을 완성했다며, 이는 중국 반도체 공급망에서 누락됐던 중요한 부분을 보완했다는 의미를 지닌다"고 자체 평가했다. 또 반도체 이온주입 장비의 전면적인 국산화가 이뤄질 것이라고 국가전력투자그룹은 전망했다. 수소이온주입기는 600V 이상의 고압 전력반도체에 필수적인 장비이며 중국은 장기간 수입에 의존해 왔다. 허리촹신 측은 "수소 이온주입기 개발에 3년 이상이 소요됐으며, 비교적 빠른 기간에 여러 핵심 기술을 터득하는데 성공했다"며 "100% 자체 기술로 장비를 국산화해 냈다"고 설명했다. 이어 "핵기술을 반도체 장비 분야에 응용해 기술혁신을 이뤄냈다"고 덧붙였다. 회사 측은 "첫번째로 제작된 칩 제품은 1만시간의 누적 공정 및 신뢰성 테스트를 거쳤으며, 주요 기술 지표는 글로벌 선진 수준
중국의 대표적인 CPU(중앙처리장치) 업체인 룽신중커(龍芯中科, Loongson)가 개발 중인 GPU(그래픽 프로세서 유닛)가 올 연날 '코드 프리즈' 단계에 진입할 것이라고 중국 IT전문 매체인 콰이커지(快科技)가 11일 전했다. 코드 프리즈란 개발 중인 코드의 변경을 중단하는 것을 뜻하며, 이는 설계가 막바지에 달했음을 의미한다. 코드 프리즈 이후에는 마지막 검증 및 테스트 단계에 진입하게 된다. 매체에 따르면 룽신중커는 '9A1000'이라는 명칭의 그래픽 카드를 개발하고 있으며, 이는 룽신중커가 개발하는 첫번째 그래픽 카드이다. 그래픽 카드는 GPU를 포함하는 개념이다. 룽신중커가 개발 중인 9A1000은 AMD가 2017년에 출시한 GPU인 AMD RX 550의 성능과 비슷한 것으로 전해지고 있다. 만약 룽신중커가 내년에 9A1000을 출시한다 하더라도 룽신중커와 AMD의 이 분야 기술격차는 무려 8년에 달한다. 다만 룽신중커는 9A1000을 개발한 후 곧바로 9A2000 설계 작업에 진입할 예정이며, 최대한 빨리 9A2000을 출시한다는 계획이다. 9A2000은 9A1000에 비해 성능이 10배 가량 향상될 것이라는 게 회사측의 설명이다. 룽신중커는
중국의 무선 주파수 집적회로(RFIC)에 특화된 반도체 기업인 줘성웨이(卓勝微, Maxscend)가 3D 패키징 기술을 사용한 주파수칩을 개발하는데 성공했다. 중국 매체 퉁화순(同花顺)재경은 10일 줘성웨이가 현재 제품 검증 단계를 밟고 있다고 전했다. 그러면서 줘성웨이가 3D 적층 패키지에 대대적인 투자를 진행해 왔다고 부연했다. 이와 관련 줘성웨이 측은 첨단 모듈 조립 기술 능력을 구축했으며, 3D 패키징을 통해 더 나은 성능을 구현, 현재 제품 검증 단계라고 설명했다. 업계의 한 전문가는 무선 주파수칩의 3D 패키징 기술이 중국 내 반도체 기업으로부터 검증을 받은 사례가 없으며, 검증을 통과한다면 획기적인 기술 도약을 이뤄낸 것이라고 평가하고 있다. 주파수 칩을 3D로 적층하면 획기적인 성능 개선을 이끌어 낼 수 있다. 3D 패키징을 통해 칩들을 수직으로 쌓아 올리면 공간을 절약할 수 있다. 또 칩들 간의 거리를 줄일 수 있어서 더 높은 데이터 전송 속도를 구현할 수 있다. 칩들 간의 신호 전송 거리가 줄어들면서 전력 소모량도 감소한다. 여러 개의 칩을 하나의 패키지에 통합하면서 집적도도 높아진다. 다만 3D 패키징은 많은 칩이 적층되는 만큼, 열이 효
중국의 디스플레이 전용 반도체 업체가 28나노(nm) 공정을 적용한 화질 개선칩 양산에 성공했다. 셴신커지(显芯科技)는 디스플레이용 RRAM(Resistive Random Access Memory, 저항 변화 메모리) 칩을 개발, 양산중인 것으로 알려졌다. 이와 관련 베이징 이좡(亦庄)개발구가 위챗 공식계정을 통해 이 같이 전했다. 현재 관련 칩은 중국 프리미엄 TV용에 탑재, 출하되고 있다고 베이징 이좡개발구는 덧붙였다. 셴신커지 측은 "현재 세계 최고 반도체 공정은 2나노 공정이지만, 디스플레이용 칩의 경우에는 중국 내에서는 28나노가 최고 공정"이라며 "반도체 선단공정으로 디스플레이용 칩을 제작한다면 원가가 치솟을 수 밖에 없다"고 설명했다. 이어 회사 측은 "현재 디스플레이 화질 개선 칩 분야에서는 28나노 공정 칩이 중국내에서는 가장 프리미엄급의 제품"이라며 "특히 해당 칩은 중국 내 국산화율이 가장 낮은 디스플레이용 칩 제품"이라고 부연했다. 셴신커지는 4년여간의 연구개발 끝에 지난해 해당 제품 개발을 완료했으며, 그동안 시생산과 테스트 과정을 진행했다. 해당 제품의 지재권은 모두 셴신커지가 보유하고 있다. 화질 조정 알고리즘 역시 셴신커지가 독자
중국의 국유자본이 자국의 EDA(반도체 설계 자동화 도구) 업체에 자본을 투입, 최대주주에 올라섰다. 중국 정부 산하 국가집적회로산업투자기금(이하 대기금) 1기가 광둥(广东)성 선전(深圳)시에 위치한 EDA 업체인 훙신웨이나(鸿芯微纳)의 증자에 참여했다. 중국 IT 전문매체 신즈쉰(芯智讯)는 6일 대기금 1기가 4억9581만 위안(한화 약 930억원)을 출자했다고 전했다. 이에 따라 대기금 1기는 훙신웨이나의 지분 38.7%를 보유하게 됐다. 또 이번 증자에는 선전시 산하 인다오(引导)기금투자가 대기금 1기와 동일하게 4억9581만위안을 투자해 지분 38.7%를 취득했다. 대기금 1기와 선전시 산하 산업펀드가 보유한 훙신웨이나의 지분은 모두 77.4%다. 지분만 보면 훙신웨이나는 사실상 국유기업에 편입됐다. 다만 경영활동과 R&D의 자율성은 보장된다. 대기금 1기가 투자를 했다는 것은 해당 기업의 경쟁력이 시장 및 국가의 검증을 통과했음을 뜻한다. 훙신웨이나는 2018년에 설립된 EDA 전문업체다. 회사는 선전, 상하이, 베이징, 청두(成都)에 R&D 센터를 운영하고 있다. 주요 연구진들은 글로벌 EDA 및 팹리스(반도체 설계 전문업체) 출신으
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UPDATE: 2025년 06월 26일 16시 10분
