중국의 한 연구소가 광자칩을 제조하는 데 필요한 핵심기술을 개발하는 데 성공했다고 현지 IT 전문 매체인 신즈쉰이 9일 전했다. 중국 후베이(湖北)성 우한(武汉)에 위치한 주펑산(九峰山)연구소는 8인치 실리콘 포토닉스 웨이퍼에 레이저 소재 에피택셜 결정립을 이질적으로 접합하는 데 성공했다고 공식계정을 통해 발표했다. 주펑산연구소에 따르면 10년여의 연구개발 끝에 CMOS와 호환되는 광반도체 온칩 디바이스 제작공정을 진행해 시제품을 생산해 내는 데 성공했다. 주펑산연구소는 2023년 3월에 운영을 시작했다. 중국 내 광자칩 개발팀이 연구소 설립을 주도했으며, 연구소 설립 후 30여개의 반도체 관련 기업들과 연계해 제조 기술을 개발해 왔다. 연구소는 지난 2월 세계 최초로 8인치 실리콘 박막 니오브산 리튬 광전 집적 웨이퍼를 생산해냈다고 발표한 바 있다. 당시 이 기술은 전 세계적으로 실리콘 기반 화합물의 광전 집적 분야에서 가장 진보된 기술로 평가됐었다. 이어 이번에는 실리콘 웨이퍼에 레이저 소재 에피택셜 결정립을 접합하는 식으로 광전칩을 만들어낸 것이다. 광자칩은 전자 대신 빛을 사용해 데이터를 처리하고 전송한다. 빛을 사용하는 만큼 더 빠르고 효율적인 데이
중국의 첫 광자반도체 파일럿 라인이 가동을 시작했다. 상하이교통대학교 우시(無錫) 광자반도체 연구원(CHIPX)이 26일 광자칩 파일럿 라인을 정식으로 가동했다고 중국 IT 전문 매체인 IT즈자(之家)가 27일 전했다. 연구원에 따르면 파일럿 라인은 100대가 넘는 최정상급 CMOS(상보형금속산화반도체) 공정 장비를 갖추고 있다. 박막 니오브산 리튬 웨이퍼를 기반으로 포토 리소그래피, 박막 증착, 식각, 습식, 절단, 측정, 패키지 공정을 통해 광차집을 제조하게 된다. 파일럿 라인은 모든 공정을 통합 진행한다. 연구원은 6인치 및 8인치 박막 니오브산 리튬 웨이퍼를 기반으로 광자칩을 시험 생산한다. 시험생산 과정에서 공정 기술의 난제를 극복하고 웨이퍼급 칩 양산 공정을 개발해 내는 것이 테스트라인의 최종 목표다. 연구원은 이를 통해 박막 니오브산 리튬 광자칩의 대규모 양산을 실현하겠다는 목표를 세우고 있다. 연구원은 우시 빈후(滨湖)구 인민정부, 상하이교통대학, 리위안(蠡园)경제개발구 등 3개 기관이 공동으로 2021년 12월 장쑤(江蘇)성 우시 빈후구에 설립했다. 2022년 12월 파일럿 라인을 정식 착공했으며, 2023년 10월 건물을 완공했고, 2024
세계 10위, 중국 3위 파운드리(반도체 외주제작 업체)인 넥스칩(NexChip, 징허지청)이 자회사를 통해 1조원의 자금을 모집했다. 넥스칩은 25일 공시를 통해 자회사인 완신지청(皖芯集成)이 증자를 단행했다고 중국 커촹반(科创板)일보가 26일 전했다. 완신지청은 넥스칩이 100% 지분을 보유하고 있던 자회사다. 완신지청의 증자작업에서 모기업인 넥스칩이 41억4500만위안, 농업은행금융자산투자유한공사와 공상은행금융투자 등 외부 금융기관들이 53억9400만위안(한화 약 1조194억원) 등 모두 95억3900만위안을 투자했다. 이에 따라 완신지청의 자본금은 5000만 위안에서 95억8900만 위안으로 증가했다. 증자후 넥스칩은 완신지청의 지분 43.75%를 보유, 1대주주의 지위를 유지하고 있다. 완신지청은 2022년 12월에 설립됐으며, 넥스칩의 3단계 공정의 건설 주체다. 넥스칩은 모두 210억 위안을 투자해 3단계 프로젝트를 추진할 방침이다. 3단계 프로젝트는 월 5만장의 12인치 웨이퍼를 생산하는 공장을 건설하는 것이 골자다. 완신지청은 증자 자금을 설비 구입, 부채 상환, 운영 자금 등에 사용할 방침이다. 또한 완신지청은 프로젝트 진행 단계에 따라 후
중국의 대형 레이저장비 업체인 한스레이저(HANS LASER, 중국명 다쭈지광, 大族激光)가 하이엔드급 반도체 장비를 출시했다. 한스레이저는 최근 기관투자자를 대상으로 하는 IR 행사에서 프리미엄급 PCB(인쇄회로기판) 가공 장비 매출비중을 더욱 높여 나갈 것이라고 발표했다고 중국 매체 금융계가 25일 전했다. 한스레이저에 따르면 AI 컴퓨팅 칩 공급체인의 폭발적인 발전에 따라 고속도 고다층 기판, 고밀도 인터커넥트(High-Density Interconnect, HDI) 기판, 대형 FC-BGA(플립 칩과 볼 그리드 어레이 결합) 기판 등 고가의 PCB 기판 소재에 대한 수요가 증가하고 있다. 이같은 수요에 부응하기 위해 한스레이저는 드릴링과 계측기능을 일체화시킨 CCD(Charge-Coupled Device, 전하결합소자) 6축 독립 기계 드릴링 머신과 신형 레이저 응용설비 등의 신형 장비들을 출시했으며, 고객사들로부터 높은 점수를 받았다고 자평했다. 특히 올해 상반기 다층 기판 시장에서의 경쟁이 심화되면서 PCB 업체들의 효율성과 자동화에 대한 수요가 지속적으로 높아지고 있으며, 이에 부응해 한스레이저는 2세대 드릴링 자동화 솔루션, 고출력 용접 레이저
중국 정상급 후공정업체인 화톈커지(华天科技)가 23일 장쑤(江苏)성 난징(南京)시에서 난징 2공장 기공식을 진행했다고 상하이증권보가 24일 전했다. 난징 2공장은 난징시 푸커우(浦口)구에 건설된다. 이날 기공식에는 천즈창(陈之常) 난징시 시장과 샤오성리(肖胜利) 화톈커지 회장 등이 참석했다. 난징 2공장 투자규모는 100억 위안(1조9000억원)이다. 2공장 건설은 3단계로 이뤄지며 2028년 건설이 완료될 예정이다. 완공 후 연매출은 약 60억 위안으로 예상됐다. 난징 2공장은 최첨단 생산 설비를 반입할 예정이며, 글로벌 최정상급의 수준을 갖춘 패키징 라인을 건설한다는 방침이다. 난징 2공장은 메모리, 주파수, 컴퓨팅, 자율주행 영역의 반도체를 집중적으로 패키징할 예정이다. 화톈커지의 난징 1공장은 현재 회사의 생산시설 중 규모가 가장 큰 곳이며, 이 곳에는 첨단 후공정 기술의 R&D 기지도 함께 들어서 있다. 화톈커지는 2018년 80억 위안을 투자해 난징 1공장 건설을 시작했으며, 기공 17개월 만에 완공했다. 화톈커지는 2003년 12월 간쑤(甘肅)성 텐수이(天水)시에 설립됐고, 2007년 11월 선전 증권거래소에 상장됐다. 9월24일 시가총액
글로벌 4위, 중국 2위 반도체 후공정업체(OSAT)인 퉁푸마이크로(TFMC, 通富微电)가 75억 위안(1조4100억원)을 투자한 후공정 공장이 기공했다고 중국 퉁화순(同花顺)재경이 23일 전했다. 퉁푸마이크로는 장쑤(江苏)성 난퉁(南通)시에서 지난 20일 공장 기공식을 진행했다. 공장은 다층 적층, 플립, 웨이퍼 레벨 및 패널 레벨 패키징 등의 역할을 수행하게 된다. 공장 건설 프로젝트에는 모두 75억 위안이 투자된다. 1공장 건설은 내년에 완료되며, 전체 프로젝트의 완공시점은 2029년 4월이다. 퉁푸마이크로는 4000개 이상의 후공정 장비를 반입할 방침이며, 글로벌 선두 수준의 패키징 라인을 건설한다는 목표다. 기공식에서 스레이(石磊) 퉁푸마이크로 회장은 "이번에 기공하는 공장은 주로 통신용 반도체, 메모리 반도체, 컴퓨팅 반도체 등의 후공정을 주로 담당할 것"이라며 "국가적으로 추진하고 있는 다층 적층 패키징이나 웨이퍼급, 패널급 패키지 등의 제품에 주력할 예정"이라고 설명했다. 퉁푸마이크로는 1997년 일본 후지쯔와의 합자기업으로 설립됐다. 현재는 후지쯔가 지분을 철수시킨 상태다. 퉁푸마이크로는 2015년 AMD의 중국 쑤저우(蘇州) 공장과 말레이시
중국의 메모리 제품 제조업체인 롱시스(Longsys, 중국명 장보룽)가 자체 개발한 메인 컨트롤러 칩 출하량이 1000만개를 돌파했다고 중국 상하이증권보가 20일 전했다. 장보룽은 19일 진행한 기관투자가 대상 IR행사에서 자체 개발한 메인 컨트롤러 칩인 'WM6000'과 'WM5000'의 대량 출하가 이뤄지고 있으며, 고객사로부터 호평을 받고 있다고 밝혔다. 또 eMMC(embedded MultiMediaCard)와 SD(Secure Digital) 카드의 메인 컨트롤러 칩을 최근 출시했으며, 자체 개발한 펌웨어 알고리즘과 일치시켜 고객의 수요에 부응했다고도 소개했다. 특히 장보룽은 신에너지자동차의 발전에 힘입어 메모리 수요가 증가하고 있다고 설명했다. 회사 측은 "스마트 드라이빙과 스마트 콕핏의 지속적인 확장이 자동차용 메모리 산업에 새로운 동력을 제공할 것이며 시장은 지속 성장할 것"이라며 "자동차가 더욱 큰 규모의 데이터를 처리해야 하는 만큼, 저장장치는 더 높은 속도, 용량 및 내구성을 갖춰야 한다"고 전망했다. 장보룽은 중국 내 최초로 자동차급 스토리지 분야에 진출한 업체다. 특히 자동차급 UFS(Universal Flash Storage)와 eM
중국의 대표적인 AP(애플리케이션프로세서) 개발 팹리스(반도체 설계 전문업체)인 쯔광잔루이(紫光展銳, 영문명 UNISOC)가 40억 위안(한화 약 7500억원) 규모의 자금 유치에 성공했다. 이번 자금유치에서 쯔광잔루이는 기업가치 660억 위안(12조4000억원)을 산정받은 것으로 전해졌다고 중국 제몐신원이 19일 전했다. 이번 자금 모집은 쯔광잔루이가 설립된 후 7번째 자금 유치였다. 쯔광잔루이는 모집된 자금으로 핵심인재 유치와 연구개발(R&D) 투자 확대에 나설 것이라고 밝혔다. 또 운영자금으로도 사용한다고 덧붙였다. 이번 자금유치에는 베이징 국유자산감독관리위원회, 상하이 국유자산감독관리위원회, 공상은행캐피털, 교통은행금융, 인민보험캐피털 등 국유 투자기관을 비롯해 중신젠터우(中信建投)와 궈타이쥔안(国泰君安) 등 증권사들이 참여했다. 국유기관들이 대거 투자에 참여했으며, 투자규모가 대규모인 점은 쯔광잔루이의 미래 사업 전망이 밝으면서도 경쟁력을 갖추고 있기 때문이라는 것이 현지 업계의 반응이다. 현지 관계자는 "올해 상반기 중국의 반도체 업계 투자액은 전년 대비 37.5% 감소했다"며 "하지만 경쟁력 있는 기업이라면 그리 어렵지 않게 투자를 유치하
중국의 반도체 업체인 창페이셴진이 200억 위안(한화 약 3조7600억원)을 들여 건설중인 후베이(湖北)성 우한(武漢) 공장이 완공됐다. 중국 매체인 EET차이나는 다음달부터 창페이셴진 우한 공장에 장비를 반입할 예정이며 3세대 전력반도체가 생산될 예정이라고 13일 전했다. 이 공장의 부지 면적은 22만9400㎡이며, 건축 면적은 30만1500㎡다. 웨이퍼 제조 공장, 패키지 공장, 애피텍셜(Epitaxial, 기판 위에 단결정층을 성장시키는 과정) 공장, 발전 건물, 창고, 오피스, 기숙사 등이 들어섰다. 창페이셴진 측은 우한공장의 모든 건물이 완공됐으며, 내년 6월에 장비 설치를 완료하고 시험 생산에 들어갈 계획이라고 밝혔다. 이 공장은 연간 36만장의 6인치 탄화규소(SiC, 실리콘 카바이드) 웨이퍼를 생산하고, 연간 6100만개의 전력 반도체를 생산할 수 있는 것으로 전해지고 있다. 생산된 제품은 신에너지 자동차, 태양광 등에 사용될 예정이다. 현재 창페이셴진은 650V~3300V 전압용 전력 반도체 생산 기술을 보유하고 있으며, 차량용 메인 드라이브, 차량용 전력 모듈, 태양광 인버터, 충전기 인버터 등 다양한 제품군을 생산하고 있다. 창페이셴진 우
중국이 반도체 공정 장비 중 하나인 수소 이온주입기를 자체 개발하는 데 성공했다. 중국국가전력투자그룹의 자회사인 허리촹신(核力创芯)은 국가원자력기구 핵기술 연구개발센터와 공동으로 수소 이온 주입 성능 업그레이드 반도체 제품을 고객사에 납품했다고 중국 매체 차이롄서(财联社)가 밝혔다. 국가전력투자그룹은 "허리촹신이 전력반도체 분야에서 고에너지 수소이온 주입과 관련된 핵심기술과 공정을 완성했다며, 이는 중국 반도체 공급망에서 누락됐던 중요한 부분을 보완했다는 의미를 지닌다"고 자체 평가했다. 또 반도체 이온주입 장비의 전면적인 국산화가 이뤄질 것이라고 국가전력투자그룹은 전망했다. 수소이온주입기는 600V 이상의 고압 전력반도체에 필수적인 장비이며 중국은 장기간 수입에 의존해 왔다. 허리촹신 측은 "수소 이온주입기 개발에 3년 이상이 소요됐으며, 비교적 빠른 기간에 여러 핵심 기술을 터득하는데 성공했다"며 "100% 자체 기술로 장비를 국산화해 냈다"고 설명했다. 이어 "핵기술을 반도체 장비 분야에 응용해 기술혁신을 이뤄냈다"고 덧붙였다. 회사 측은 "첫번째로 제작된 칩 제품은 1만시간의 누적 공정 및 신뢰성 테스트를 거쳤으며, 주요 기술 지표는 글로벌 선진 수준
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UPDATE: 2025년 10월 21일 15시 16분
